بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون در محلول tmah
نویسندگان
چکیده
این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسانگرد سیلیکون (100) در هیدروکسید آمونیم تترامتیل(tmah) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول tmah با غلظتهای مختلف 5%، 10%، 15% و 25% و در دماهای مختلف oc 70، oc 80 و oc90 انجام شد. نتایج نشان میدهد که نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش مییابد ولی این نرخ با افزایش غلظت tmah در غلظتهای بیشتر از 10% کاهش مییابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با µm/h62 در غلظت10% و دمای oc 90 است. تصاویر sem نشان میدهد که در سطح سیلیکون برآمدگیهای شبیه به تپههای هرمی شکل کوچک ظاهر میشود که تعداد، شکل و نحوه توزیع آنها در روی سطح سیلیکون کاملا تصادفی است. تعداد ناهمواری با افزایش غلظت tmah کاهش مییابد و سطح سیلیکون حکاکی شده در tmah با غلظتهای بالا، صافتر میباشد. درضمن بیشترین مقدار نرخ زدایش در صفحه نسبت به صفحه برای tmah با غلظت10% به دست آمده است که مقدار آن 6/10 است. زدایش سیلیکون با tmah در این غلظت کمترین زیربریدگی را دارد.
منابع مشابه
بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسانگرد سیلیکون در محلول TMAH
این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسانگرد سیلیکون (100) در هیدروکسید آمونیم تترامتیل(TMAH) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول TMAH با غلظتهای مختلف 5%، 10%، 15% و 25% و در دماهای مختلف oC 70، oC 80 و oC90 انجام شد. نتایج نشان میدهد که نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش مییابد ولی این نرخ با افزایش غلظت TMAH در غلظتهای بیشتر از 10% کاهش مییابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با...
متن کاملروش اجزای مجزای سهبعدی در تحلیل ظرفیت باربری پیهای سطحی بر روی خاکهای لایه لایه
در تحقیق حاضر، روش محاسبه ظرفیت باربری پی های سطحی به روش المانهای مجزای سه بعدی، ارائه شده توسط مجیدی، برای خاکهای لایه لایه (غیر همگن) و همین طور در حضور آب زیرزمینی گسترش داده شده و نتایج با روشها و تحقیقات صورت گرفته در این زمینه مورد مقایسه قرار گرفته است. در تحقیق حاضر برنامه کامپیوتری نوشته شده قادر است برای حالات مختلف خاک لایه لایه با پارامترهای مقاومت برشی مختلف و همین طور خاکهای...
متن کاملTMAH/IPA anisotropic etching characteristics
The main advantage of tetramethyl ammnium hydroxide (TMAH)-based solutions is their full compatibility with IC technologies. In this work a new etching system of TMAH/IPA (isopropyl alcohol) is suggested. The influence of the addition of IPA to TMAH solutions on their etching characteristics is presented. The etch rates of (100) oriented silicon crystal planes decreases linearly with decreasing...
متن کاملDegenerate Four Wave Mixing in Photonic Crystal Fibers
In this study, Four Wave Mixing (FWM) characteristics in photonic crystal fibers are investigated. The effect of channel spacing, phase mismatching, and fiber length on FWM efficiency have been studied. The variation of idler frequency which obtained by this technique with pumping and signal wavelengths has been discussed. The effect of fiber dispersion has been taken into account; we obtain th...
متن کاملافزایش چسبندگی سطحی لایهنازک اکسیدگرافن روی بستر سیلیکون آبگریز
در این تحقیق، لایههای اکسیدگرافن[1] باردار توسط روش رایج اصلاح شده هامر[2]، سنتز گردید. لایهنازک اکسیدگرافن به روش لایهنشانی الکتروفورتیک[3] توسط سوسپانسیون کلوئیدی آبی اکسیدگرافن روی زیرلایه سیلیکون[4] لایهنشانی شد. جهت بهبود میزان چسبندگی لایههای اکسیدگرافن روی سطح آبگریز سیلیکون، عملیات اصلاح سطح زیرلایه توسط ذرات نقره انجام گرفت. فرایند احیا اکسیدگرافن لایهنشانی شده در دمای ºC4...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
عنوان ژورنال:
فرآیندهای نوین در مهندسی موادناشر: دانشگاه آزاد اسلامی واحد شهر مجلسی
ISSN 2423-3226
دوره 9
شماره 3 2015
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023